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中国ハイテク産業成長の切り札となる「第3世代半導体」とは

2020年9月23日 15:00

8月には中国・南京で世界半導体会議も開催(Getty Images)

 9月に入り、中国本土新興市場銘柄の一角が急騰している。9月21日現在の月間騰落率(8月31日の株価と比較)を示すと、LEDチップメーカーのフォーカスライトニング(300708)、アモイチェンジライト(300102)はそれぞれ91.0%、72.8%、5G通信設備、データセンター向けの電源装置や電気自動車向けの充電装置を製造するイーストグループ(300376)は77.7%上昇している。

 いずれも創業板銘柄であるが、創業板指数自体はこの間、▲5.8%下落している。その要因はいくつか考えられる。創業板への上場が登録制に移行したことで需給の悪化が懸念された。上海取引所の科創板に7月、本土最大の半導体ファンドリーであるSMICが上場したことで、新興市場間で競争が激化、人気が分散された。また、トランプ政権による中国ハイテク企業への抑え付けが中国ハイテク企業の成長を阻害する懸念があった。

 新興市場銘柄が売られる相場の中で、冒頭に紹介した銘柄の急騰が目立つが、これらに共通するのはいずれも“第3世代半導体”(後述)の開発を行っているという点だ。

 ブルームバーグは9月3日、「中国は国内の半導体産業を発展させ、トランプ政権による制限措置に対抗するため、新たに広範囲な政策を計画している。関係者の話によれば、中国は2025年までの5年間でいわゆる“第3世代半導体”への幅広い支援を準備している」などと伝えている。

 複数の本土マスコミは9月4日、ブルームバーグの報道を引用した上で、権威筋の話として、「中国は今後、第十四次五か年計画(2021~2025年)において、第3世代半導体の開発について教育、研究、資金供給、応用技術など多方面から、大々的に支援する方針である」などと伝えている。

 第3世代半導体とは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)や、酸化亜鉛(ZnO)、グラファイト(C)などの新材料を使った半導体を指す。第1世代であるシリコン、ゲルマニウム(Ge)を使った半導体はCPU、GPUなどに広く使われており、第2世代であるガリウム砒素(GaAs)、リン化インジウム(InP)を使った半導体は光通信機器の中継に必要な電子部品などとして広く使われている。

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